Intel Foundry setzt High-NA-EUV in der Hochvolumenfertigung für ausgewählte Schichten eines Teils der Panther-Lake-Prozessoren ein. Am 18. September 2026 standen die elektrischen Ergebnisse des gezackten Zipzag-Stitching-Tests noch aus. Am 7. September hatten Intel und ASML mehr als eine Million bearbeitete Wafer aus Zertifizierung, Forschung und Entwicklung sowie Produktion gemeldet.
Intel meldet mehr als eine Million bearbeitete Wafer
Die Millionensumme erfasst mehrere Phasen der Arbeit mit High-NA-EUV: Werkzeugzertifizierung, Forschung und Entwicklung sowie Produktion. Sie ist also keine Zahl ausschließlich kommerzieller Panther-Lake-Wafer. Die Produktion für Panther Lake betrifft ausgewählte Schichten einer Teilmenge der Prozessoren.
Intel bezeichnet Panther Lake als Intel Core Ultra Series 3. Bei diesen Prozessoren auf Basis von Intel 18A kommt High-NA-EUV nicht auf jeder Schicht zum Einsatz. Intel zufolge erreichen die mit High-NA belichteten Schichten mindestens die Leistung vergleichbarer, mit der NXE-Plattform belichteter Schichten.
Warum High-NA-EUV das Stitching anspruchsvoller macht
Die numerische Apertur beschreibt eine optische Eigenschaft, die beeinflusst, wie fein ein Lithografiesystem Strukturen abbilden kann. High-NA-EUV arbeitet mit einer Apertur von 0,55; bei konventioneller EUV beträgt sie 0,33. Das Belichtungsfeld – der Bereich, den ein System bei einer Belichtung abbildet – fällt bei High-NA mit einer Standardmaske kleiner aus.
| Lithografie | Numerische Apertur | Belichtungsfeld mit Standardmaske im Format 6 × 6 Zoll |
| Konventionelle EUV | 0,33 | 26 × 33 mm |
| High-NA-EUV | 0,55 | 26 × 16,5 mm |
Überschreitet ein Chipbereich das High-NA-Belichtungsfeld, können mehrere Belichtungen nötig sein. Beim Stitching werden die Teilfelder an einer gemeinsamen Grenze zusammengesetzt. Dort müssen die Strukturen präzise aufeinanderpassen – und elektrische Verbindungen können diese Naht zusätzlich anspruchsvoll machen.
Die Auswahl der für Panther Lake vorgesehenen High-NA-Schichten vermeidet laut dem Bericht elektrische Verbindungen, die über die Grenze zwischen den beiden Teilfeldern führen. Ein Test mit gerader Naht und Block-and-Route-Ansatz war elektrisch verifiziert. Für den flexibleren, gezackten Zipzag-Test lagen am 18. September 2026 noch keine elektrischen Ergebnisse vor.
Intel arbeitet an einem größeren Maskenformat
Intel und ASML arbeiten auch am Ökosystem für Masken im Format 6 × 12 Zoll. Eine größere Maske könnte bei geeigneten Entwürfen ein vollständiges konventionelles Retikelfeld ohne zusammengesetzte Belichtungen ermöglichen. Das Format ist eine Entwicklungsrichtung, keine etablierte Fertigungspraxis.
