7 września 2026 r. Intel i ASML ogłosili, że w ramach prac nad High-NA przetworzono łącznie ponad milion wafli. Wynik obejmuje certyfikację narzędzi, badania i rozwój oraz produkcję. Jednym z zastosowań produkcyjnych jest High-NA EUV na wybranych warstwach Intel 18A w części procesorów Intel Core Ultra Series 3, znanych pod kryptonimem Panther Lake.
High-NA trafia na wybrane warstwy Panther Lake
Intel Foundry stosuje litografię High-NA EUV w procesie Intel 18A, ale nie na wszystkich warstwach ani we wszystkich procesorach Panther Lake. Intel podał, że parametry wybranych warstw naświetlanych w ten sposób dorównują lub przewyższają parametry porównywalnych warstw wykonanych na platformie NXE.
Liczba ponad miliona wafli opisuje łączną aktywność na różnych etapach programu. Nie jest liczbą gotowych procesorów Panther Lake ani wafli przeznaczonych wyłącznie do ich produkcji.
Mniejsze pole ekspozycji oznacza wyzwanie przy łączeniu wzorów
Apertura numeryczna, w skrócie NA, opisuje właściwości optyczne układu litograficznego. High-NA ma aperturę 0,55, podczas gdy w konwencjonalnej litografii EUV platforma NXE wykorzystuje aperturę 0,33. Przy standardowej masce 6 × 6 cali różnią się także wielkości pól ekspozycji — obszarów wzoru naświetlanych w jednym kroku.
| Platforma litograficzna | Apertura numeryczna | Pole ekspozycji przy standardowej masce 6 × 6 cali |
| Konwencjonalna EUV (NXE) | 0,33 | 26 × 33 mm |
| High-NA EUV | 0,55 | 26 × 16,5 mm |
Kiedy wzór układu przekracza jedno pole High-NA, można podzielić go na fragmenty naświetlane osobno, a następnie precyzyjnie połączyć. Takie zszywanie pól ekspozycji, określane też jako stitching, wymaga sprawdzenia, czy ich granica nie zaburza połączeń elektrycznych.
W opisanej konfiguracji Panther Lake połączenia elektryczne na wybranych warstwach nie przechodziły przez granicę między połowami pola ekspozycji. Test block-and-route z prostym szwem uzyskał weryfikację elektryczną. W teście Zipzag zastosowano szew o łamanym przebiegu; według stanu opisanego 18 września 2026 r. na jego wyniki elektryczne nadal czekano.
Intel i ASML rozwijają większy format maski
Intel i ASML pracują nad maską o wymiarach 6 × 12 cali. Taki format mógłby pozwolić naświetlać pełne pole odpowiadające konwencjonalnemu EUV bez łączenia dwóch połówek. To kierunek rozwoju, a nie utrwalony standard produkcyjny.
