El 7 de septiembre de 2026, Intel y ASML anunciaron que se habían procesado más de un millón de obleas con litografía EUV High-NA. El total suma trabajos de certificación de equipos, investigación y desarrollo (I+D) y producción; incluye actividad relacionada con Panther Lake, pero no equivale a un millón de obleas comerciales de esos procesadores.
ASML había comunicado el 15 de julio que Intel Foundry ya utilizaba High-NA en fabricación de alto volumen para capas seleccionadas de Intel 18A en un subconjunto de Panther Lake. Se trata de procesadores Intel Core Ultra Series 3, no de una familia fabricada íntegramente con esta técnica.
Qué cuenta el millón de obleas
El acumulado anunciado por Intel y ASML abarca distintas fases del trabajo con High-NA: certificación de herramientas, I+D y producción. La producción de Panther Lake forma parte de esa actividad, pero el dato no identifica cuántas de las obleas corresponden a esos procesadores ni permite leer el total como un volumen de producto comercial terminado.
En Panther Lake, Intel Foundry aplica High-NA a capas seleccionadas del proceso Intel 18A y a un subconjunto de procesadores. Intel afirma que esas capas alcanzan o superan el rendimiento de capas comparables modeladas con su plataforma EUV convencional NXE. También dice que la superposición de capas, la productividad y la disponibilidad de los equipos están dentro de sus expectativas.
Por qué importa el tamaño del campo de exposición
High-NA es litografía ultravioleta extrema con una apertura numérica —un parámetro del sistema óptico relacionado con su capacidad para resolver detalles— de 0,55. La plataforma EUV convencional NXE tiene una apertura numérica de 0,33.
La diferencia también afecta al campo de exposición: la superficie que el sistema imprime de una vez. Con una máscara estándar de 6 × 6 pulgadas, las dimensiones citadas son distintas para cada plataforma:
| Plataforma | Apertura numérica | Campo de exposición con máscara de 6 × 6 pulgadas |
| EUV convencional NXE | 0,33 | 26 × 33 mm |
| EUV High-NA | 0,55 | 26 × 16,5 mm |
El campo de High-NA es más estrecho en uno de sus lados. Si un diseño supera ese espacio, puede hacer falta unir exposiciones contiguas con una alineación precisa; a ese proceso se lo suele llamar stitching o unión de exposiciones.
Qué se había comprobado sobre la unión eléctrica
Las capas High-NA seleccionadas para Panther Lake evitan que las conexiones eléctricas tengan que cruzar la frontera entre los dos medios campos de exposición. Un ensayo de trazado y conexión (block-and-route) con una costura recta ya tenía verificación eléctrica.
El diseño Zipzag plantea una costura con trayectos desplazados para rodear zonas sensibles. El 18 de septiembre de 2026, sus resultados eléctricos seguían pendientes. La fabricación de algunas capas de Panther Lake y las pruebas de uniones eléctricas más complejas corresponden a etapas distintas.
La alternativa de una máscara más grande
Intel y ASML trabajan con el ecosistema del sector en un formato de máscara de 6 × 12 pulgadas. Una máscara mayor podría permitir exponer un campo convencional completo sin unir dos medios campos de High-NA. Por ahora, ese formato es una vía de desarrollo, no una práctica de producción establecida.
