Intel en ASML maakten op 7 september 2026 bekend dat er in totaal meer dan één miljoen wafers waren verwerkt tijdens de kwalificatie van apparatuur, onderzoek en ontwikkeling en productie met High-NA EUV. Een deel van de Intel Core Ultra Series 3-processors, met codenaam Panther Lake, wordt op geselecteerde Intel 18A-lagen met deze lithografie gemaakt. Een bericht dat op 18 september verscheen, meldde dat de elektrische resultaten van een geknikte stitching-test toen nog niet binnen waren.
Wat de wafermijlpaal omvat
Het totaal van meer dan één miljoen wafers bestrijkt verschillende fases: de kwalificatie van de apparatuur, R&D en productie. Panther Lake is onderdeel van het productiegebruik, maar High-NA EUV geldt daar alleen voor geselecteerde lagen van een deel van de processorfamilie.
Intel meldde op 15 juli 2026 dat Intel Foundry High-NA gebruikte bij de productie van een deel van de Panther Lake-processors. De eerste commerciële High-NA-installatie bij Intel, in Hillsboro in Oregon, was in 2024 geïntegreerd.
Intel zegt dat de prestaties van de met High-NA gepatroneerde Intel 18A-lagen minstens gelijk zijn aan die van vergelijkbare lagen die met het conventionele NXE-platform zijn gemaakt. Ook zegt Intel dat de uitlijning tussen lagen, de doorvoer en de beschikbaarheid aan de verwachtingen voldoen.
High-NA wordt op geselecteerde Panther Lake-lagen ingezet
High-NA EUV is EUV-lithografie met een hoge numerieke apertuur: een eigenschap van de optiek die samenhangt met de resolutie. De High-NA-belichting wordt niet voor alle lagen of alle Panther Lake-processors genoemd.
Volgens een bericht van 18 september werden de betreffende Panther Lake-lagen zo gekozen dat elektrische verbindingen niet over de grens tussen twee halve belichtingsvelden hoefden te lopen. Dat maakt de productie-inzet op geselecteerde lagen iets anders dan het elektrisch testen van stitching: daarbij moeten patronen uit twee belichtingen op hun grens nauwkeurig op elkaar aansluiten.
Het High-NA-belichtingsveld is smaller
Met een standaardmasker van 6 × 6 inch heeft High-NA een smaller belichtingsveld dan conventionele EUV. Numerieke apertuur (NA) is een eigenschap van de optiek die met de resolutie samenhangt.
| Lithografiesysteem | Numerieke apertuur (NA) | Belichtingsveld met standaardmasker van 6 × 6 inch |
| Conventionele EUV (NXE) | 0,33 | 26 × 33 mm |
| High-NA EUV | 0,55 | 26 × 16,5 mm |
De anamorfische optiek van High-NA halveert één afmeting van het belichtingsveld in deze vergelijking. Als een ontwerp groter is dan één High-NA-veld, kunnen meerdere belichtingen nodig zijn. Stitching is het laten aansluiten van zulke patronen, zodat ze samen een groter gebied bestrijken.
Rechte naad getest; Zipzag-resultaten wachtten nog
Een bericht van 18 september 2026 meldde dat Intel een block-and-route-test met een rechte naad elektrisch had geverifieerd. Bij de Zipzag-test loopt de naad met knikken om gevoelige delen van het ontwerp heen. De elektrische resultaten van die test waren volgens hetzelfde bericht op dat moment nog niet binnen.
Die tests gaan over de aansluiting tussen belichtingsvelden. Ze staan los van Intels vergelijking van de prestaties van geselecteerde High-NA-lagen met vergelijkbare NXE-lagen.
Intel en ASML werken aan grotere maskers
Intel en ASML werken aan een maskerformaat van 6 × 12 inch. Een groter masker zou het mogelijk kunnen maken een volledig conventioneel belichtingsveld te belichten zonder stitching. Dat formaat is nog in ontwikkeling.
