TSMC prevé producir A14 en 2028. Además, una meta de SRAM inferior a 0,017 μm², atribuida a ETNews por Wccftech, supondría, si se alcanza, más del 19,0 % menos de área por bitcelda frente a la referencia de 0,021 μm² que TSMC publicó para su tecnología de 2 nm.
El calendario previsto para TSMC A14
TSMC anunció A14 el 23 de abril de 2025 como sucesor de N2 y situó su producción en 2028. El 16 de julio de 2026, DigiTimes informó de que la empresa describió el desarrollo como ajustado al plan, con producción de riesgo en 2027 y producción en volumen en 2028. El 29 de octubre de 2026, Wccftech atribuyó a DigiTimes un calendario más concreto: producción masiva durante el primer semestre de 2028.
Qué supondría la meta de SRAM
Una bitcelda es una celda individual de memoria. La investigación de TSMC sobre su tecnología CMOS de nanosheets de 2 nm documenta una bitcelda de alta densidad de 0,021 μm². Wccftech informó de una meta para A14 inferior a 0,017 μm² y la atribuyó a ETNews.
La cuenta frente al umbral de 0,017 μm² es (0,021 − 0,017) ÷ 0,021 ≈ 19,0 %. Si la bitcelda de A14 queda por debajo de ese umbral, la reducción de su área superaría el 19,0 % frente a la referencia de 2 nm.
El área de una bitcelda no determina la de una macro SRAM
Una macro SRAM incluye circuitería adicional además de sus bitceldas. Por eso, el cálculo describe la reducción del área de una bitcelda, pero no permite deducir en la misma proporción el área total de la macro.
