TSMC planuje rozpocząć produkcję A14 w 2028 r. Według relacji DigiTimes produkcja ryzykowna ma ruszyć w 2027 r., a masowa w 2028 r. Osobno raportowany cel SRAM poniżej 0,017 μm² oznaczałby, jeśli zostanie osiągnięty, ponad 19% mniejszą powierzchnię komórki bitowej niż w udokumentowanym przez TSMC projekcie 2 nm.
Kiedy TSMC planuje produkcję A14?
W kwietniu 2025 r. TSMC zapowiedziało proces A14 i wyznaczyło produkcję na 2028 r. DigiTimes, relacjonując rozmowę wynikową TSMC z 16 lipca 2026 r., podał, że rozwój przebiega zgodnie z planem: produkcja ryzykowna miała rozpocząć się w 2027 r., a masowa rok później.
29 października 2026 r. Wccftech przypisał DigiTimes dokładniejszy termin masowej produkcji: pierwszą połowę 2028 r. To szczegół z doniesienia, podczas gdy plan ogłoszony przez TSMC określa rok.
Co oznacza raportowany cel SRAM?
W projekcie SRAM TSMC dla technologii CMOS nanosheet 2 nm komórka bitowa ma powierzchnię 0,021 μm². Według Wccftech, powołującego się na ETNews, raportowany cel dla A14 wynosi mniej niż 0,017 μm².
Porównanie z progiem 0,017 μm² daje obliczenie: (0,021 − 0,017) ÷ 0,021 ≈ 19,0%. Jeśli cel poniżej tego progu zostanie osiągnięty, powierzchnia komórki bitowej będzie więc mniejsza o ponad około 19% względem wartości 0,021 μm².
Komórka bitowa a całe makro SRAM
Komórka bitowa jest pojedynczym elementem pamięci, a makro SRAM stanowi większy blok pamięci. Obliczenie dotyczy wyłącznie powierzchni komórki bitowej. Powierzchnia całego makra SRAM, rozmiar pamięci podręcznej i wydajność układu to odrębne wielkości.
