TSMC reiteró el 8 de noviembre su apuesta por la fundición de chips lógicos, según informó Seoul Economic Daily. La declaración llegó después de que The Information informara, el 6 de noviembre, de que TSMC había empezado a estudiar planes para fabricar DRAM 3D a petición de NVIDIA, de acuerdo con dos personas familiarizadas con las conversaciones. Por ahora, la iniciativa se describe como una exploración.
La declaración de TSMC y los planes atribuidos a NVIDIA
El portavoz de TSMC puso el foco en el negocio de fundición dedicada y en el servicio a la industria mundial de circuitos integrados lógicos. Seoul Economic Daily informó de una reiteración de esa prioridad el 8 de noviembre. Por separado, el relato atribuido a The Information describía una posible exploración de fabricación de DRAM 3D para NVIDIA.
Ese relato mencionaba dos opciones para las instalaciones: construir nuevas plantas o adquirir centros existentes y adaptarlos. También atribuía la supervisión del análisis a Hsu Kuo-chin, vicepresidente de empaquetado avanzado de TSMC.
Una petición de un cliente puede poner una tecnología sobre la mesa; convertirla en producción requiere desarrollar procesos y capacidad industrial.
La DRAM 3D apilaría celdas; HBM apila chips
La diferencia está en qué se apila. El concepto de DRAM 3D organiza las celdas de memoria en vertical. HBM, en cambio, apila chips de memoria completos. Por eso, una exploración de DRAM 3D no equivale a anunciar la fabricación de HBM.
En la explicación técnica general de Lam Research, las celdas se giran 90 grados y se apilan verticalmente. La animación también aborda técnicas de fabricación como el grabado de alta relación de aspecto, el patrón EUV y la deposición de capas atómicas. Son conceptos generales de escalado de memoria, no un diseño atribuido a TSMC.
La relación con HBM ayuda a situar la noticia en el sector: la cobertura previa de NeoTeo sobre los base dies de HBM4E y NVHBM de Micron explica otro uso de los procesos de fundición en la fabricación de memoria.
Los obstáculos industriales alargan el camino
En un artículo en inglés traducido con IA del coreano y publicado el 9 de noviembre, Seoul Economic Daily señaló que la fabricación de lógica y DRAM requiere procesos distintos, y que entrar en la DRAM avanzada exigiría desarrollo tecnológico e instalaciones específicas. El mismo medio recogió una valoración de Tom’s Hardware: incluso adquirir un fabricante de memoria requeriría años de I+D y miles de millones de dólares.
Tom’s Hardware también estimó, según el resumen de MLQ.ai, que la DRAM 3D podría tardar al menos cinco años en aliviar la escasez de memoria. Esa valoración se refiere al posible efecto sobre el suministro, no a un calendario de producción de TSMC.
