A TSMC reiterou em 8 de novembro seu foco no negócio de fundição, segundo a Seoul Economic Daily. A declaração veio após relatos de que a empresa avaliava produzir DRAM 3D a pedido da NVIDIA. A ideia foi atribuída à The Information, que, segundo esses relatos, citou duas pessoas familiarizadas com as conversas.
O que a TSMC disse e o que foi relatado
A Seoul Economic Daily informou que a TSMC voltou a destacar seu negócio central de fundição. Uma declaração de um porta-voz, reproduzida pela MLQ.ai, também enfatizou o trabalho de fundição de circuitos integrados e o atendimento à indústria global de chips lógicos.
O relato sobre a possível DRAM 3D veio antes: em 6 de novembro, a The Information teria noticiado que a TSMC começou a elaborar planos para fabricar esse tipo de memória a pedido da NVIDIA. Entre as opções mencionadas estavam construir novas fábricas ou adquirir e adaptar instalações existentes. Hsu Kuo-chin, vice-presidente de empacotamento avançado da TSMC, foi apontado como responsável por supervisionar a exploração.
DRAM 3D e HBM empilham coisas diferentes
DRAM 3D é uma proposta de organizar células de memória verticalmente, com o objetivo de aumentar a densidade. HBM, ou memória de alta largura de banda, empilha chips de memória completos. A diferença importa porque uma arquitetura empilha células dentro da memória, enquanto a outra reúne dies inteiros numa pilha. A cobertura anterior da NeoTeo sobre foundries nos base dies de HBM4E e NVHBM trata de outro ponto da cadeia: a fabricação do die-base.
A explicação técnica geral da Lam Research descreve células giradas em 90 graus e empilhadas verticalmente. A animação também aborda gravação de alta razão de aspecto, padronização por EUV e deposição de camadas atômicas (ALD). Ao tratar de linhas de conexão cada vez menores, a Lam menciona deposição de molibdênio para lidar com a resistência elétrica. A Applied Materials, por sua vez, descreve a engenharia de materiais para DRAM 3D como diferente daquela usada em NAND 3D.
Por que isso não significaria memória nova de imediato
DRAM e chips lógicos exigem processos de fabricação diferentes. A Seoul Economic Daily relatou que uma entrada na produção avançada de DRAM exigiria desenvolvimento tecnológico e instalações próprias; sua versão em inglês foi traduzida por IA do coreano. As alternativas de fábricas mencionadas no relato sobre a TSMC, portanto, acompanham uma transição industrial que envolve mais do que reorganizar células dentro de um chip.
Em 7 de novembro, a Tom’s Hardware avaliou que a DRAM 3D poderia levar pelo menos cinco anos para ajudar a aliviar a escassez de memória, segundo resumo da MLQ.ai. Esse prazo é uma estimativa sobre o possível efeito na oferta, não uma data de produção da TSMC.
Um plano exploratório de memória não equivale a uma nova fonte de oferta: a fabricação de DRAM exige processos e instalações próprios.
