Według Seoul Economic Daily, 8 listopada TSMC ponownie podkreśliło, że koncentruje się na działalności foundry, czyli produkcji układów na zlecenie. Wcześniejsza wypowiedź rzecznika firmy dotyczyła obsługi globalnego rynku układów logicznych. Nie rozstrzygała, czy TSMC rozważa konkretny plan produkcji DRAM 3D, o którym informowano osobno.

Co wiadomo o doniesieniach dotyczących planu TSMC

6 listopada The Information miało podać, powołując się na dwie osoby zaznajomione ze sprawą, że TSMC zaczęło przygotowywać plany produkcji DRAM 3D na prośbę Nvidii. Seoul Economic Daily i MLQ.ai opisały tę relację, a nie ogłoszony przez TSMC program. Według doniesień możliwe drogi obejmowały budowę nowych zakładów albo zakup i przystosowanie już istniejących. Nadzór nad rozpoznaniem przypisano Hsu Kuo-chinowi, wiceprezesowi TSMC ds. zaawansowanego pakowania.

Wypowiedź TSMC o działalności foundry i układach logicznych była ogólna; nie odpowiadała wprost na pytanie o opisany plan DRAM 3D.

Czym DRAM 3D różni się od HBM

Anglojęzyczna animacja Lam Research o skalowaniu DRAM, HBM i pionowym układaniu komórek pamięci

W opisywanej koncepcji DRAM 3D komórki pamięci miałyby być ułożone pionowo. HBM natomiast łączy w stos kompletne układy pamięci. To różnica między trójwymiarowym układem komórek w samym układzie DRAM a piętrowym połączeniem gotowych kości.

Animacja Lam Research pokazuje ogólne koncepcje skalowania pamięci: obracanie komórek o 90 stopni i układanie ich pionowo, a także trawienie struktur o dużym współczynniku kształtu, wzory tworzone litografią EUV i osadzanie warstw atomowych. Lam omawia również zastosowanie molibdenu przy problemie rosnącej rezystancji w zwężających się liniach przewodzących. To techniczne tło dla architektur pamięci, nie opis konkretnego rozwiązania TSMC.

Powiązanym kontekstem dla HBM jest wcześniejszy materiał NeoTeo o planach Microna dotyczących base die dla HBM4E i NVHBM.

Dlaczego nowa produkcja pamięci wymagałaby czasu

Seoul Economic Daily wskazywało, że produkcja układów logicznych i DRAM opiera się na różnych procesach, a wejście w zaawansowaną pamięć wymagałoby rozwoju technologii i zaplecza produkcyjnego. Anglojęzyczna wersja artykułu tego wydawcy została przetłumaczona z koreańskiego przez AI.

Tom’s Hardware ocenił, według relacji MLQ.ai, że DRAM 3D nie złagodzi niedoborów pamięci przez co najmniej pięć lat. To ocena możliwego wpływu technologii na podaż, a nie harmonogram produkcji TSMC.

O dodatkowej podaży pamięci będzie można mówić dopiero wtedy, gdy rozważania przejdą w konkretne decyzje o technologii i zapleczu produkcyjnym.