L’8 novembre TSMC ha ribadito il proprio focus sull’attività di fonderia, secondo quanto riferito da Seoul Economic Daily. La dichiarazione attribuita al portavoce dell’azienda e riportata da MLQ.ai riguardava la produzione di circuiti integrati e il servizio all’industria globale dei chip logici; non si pronunciava sul piano specifico di DRAM 3D attribuito a Nvidia.
Il passaggio cruciale è tra concepire celle di memoria disposte in verticale e trasformare quell’idea in produzione industriale.
La dichiarazione di TSMC e il piano riferito
Il 6 novembre The Information ha riferito, citando due persone a conoscenza dei colloqui, che TSMC aveva iniziato a preparare piani per produrre DRAM 3D su richiesta di Nvidia. Il resoconto descriveva una fase esplorativa: tra le opzioni figuravano la costruzione di nuovi impianti o l’acquisizione e la conversione di strutture esistenti. La scelta del percorso e i tempi di produzione non erano definiti. Secondo MLQ.ai, l’iniziativa sarebbe stata seguita da Hsu Kuo-chin, vicepresidente di TSMC per il packaging avanzato.
DRAM 3D e HBM intervengono su livelli diversi
La DRAM 3D descritta nei resoconti punta a disporre le celle di memoria in verticale. La HBM, invece, impila die di memoria completi, collegati attraverso vie che attraversano il silicio. Si tratta quindi di due architetture diverse: celle disposte in tre dimensioni da una parte, chip completi sovrapposti dall’altra.
Nel modello generale illustrato da Lam Research, le celle vengono ruotate di 90 gradi e impilate verso l’alto. Per un approfondimento sul ruolo dei die di base nelle memorie HBM, leggi anche la precedente copertura di NeoTeo su HBM4E e NVHBM.
Processi e sviluppo separano l’idea dalla nuova offerta
Seoul Economic Daily, nella versione inglese tradotta con IA dal coreano, ha riferito che la produzione di chip logici e quella di DRAM richiedono processi diversi, oltre a sviluppo tecnologico e impianti dedicati. Lo stesso giornale ha riportato una valutazione di Tom’s Hardware secondo cui anche acquisire un produttore di memoria richiederebbe anni di ricerca e sviluppo e miliardi di dollari.
In una valutazione pubblicata il 7 novembre da Tom’s Hardware e ripresa da MLQ.ai, la DRAM 3D non avrebbe potuto contribuire ad alleviare la carenza di memoria per almeno cinque anni. La stima riguarda un possibile effetto sulla disponibilità di memoria, non una data di produzione per TSMC.
