Lors d’une conférence à Shanghai le 10 octobre 2026, ChangXin Memory Technologies (CXMT) a présenté, selon DRAMX, des progrès de recherche sur une architecture DRAM 4F² et un projet de RDIMM DDR5 pour serveurs, avec un objectif d’introduction d’ici la fin de l’année. Le compte rendu décrit un module associant cette architecture au Hybrid Bonding, une technique d’assemblage de puces.
Le projet vise la mémoire DDR5 pour serveurs. La HBM relève d’un segment distinct, au cœur de notre article sur les tensions qui pèsent sur les accélérateurs IA chinois.
Ce que change le passage de 6F² à 4F²
La comparaison concerne la surface occupée par une cellule DRAM. Dans cette notation, F désigne la dimension minimale de caractéristique du procédé. Les cellules conventionnelles sont décrites avec une architecture 6F² ; les progrès attribués à CXMT portent sur une structure 4F². Sur le papier, passer de 6F² à 4F² correspond à une réduction d’environ un tiers de la surface de la cellule, selon l’analyse de TradingKey.
| Architecture de cellule DRAM | Surface rapportée | Comparaison géométrique |
| Référence conventionnelle | 6F² | Base de comparaison |
| Progrès de recherche attribués à CXMT | 4F² | Environ un tiers de surface en moins par cellule, en théorie |
Cette géométrie ne donne pas à elle seule la capacité finale d’un module ni son coût par bit. La fabrication, le rendement — la part de puces produites qui fonctionne correctement — et la validation du module comptent aussi. TradingKey décrit par ailleurs des transistors à grille enveloppante verticale (VSG), conçus pour réduire les fuites et les effets de canal court tout en limitant l’empreinte planaire du transistor.
Un RDIMM serveur doit aussi passer l’épreuve de la compatibilité
Un RDIMM est un module mémoire doté d’un registre, couramment utilisé dans les serveurs. DRAMX rapporte que le projet de CXMT associerait le 4F² au Hybrid Bonding. Le même article décrit les exigences générales des RDIMM serveur : fonctionner en continu, 24 heures sur 24 et 7 jours sur 7, et subir des centaines de tests de compatibilité avec des processeurs et des cartes mères. Ces essais concernent la catégorie de produits ; ils ne constituent pas des résultats de qualification pour le module prévu par CXMT.
La surface réduite d’une cellule peut contribuer à accroître la densité, mais la valeur concrète d’un module dépend aussi de sa fiabilité et de sa compatibilité avec les plateformes serveur. C’est ce passage de l’architecture à un module qualifié qui donnera sa portée pratique au projet.
Une recherche engagée depuis plusieurs années
DRAMX rapporte que CXMT a publié en 2021 un article universitaire lié à l’architecture 4F², puis communiqué d’autres résultats de recherche en 2023 et en 2025. La présentation du 10 octobre 2026 s’inscrit dans cette chronologie ; l’objectif annoncé pour le RDIMM DDR5 reste fixé à la fin de 2026.
Le 12 octobre, TradingKey a également rapporté, pour cette séance, une baisse de 4,70 % de Micron Technology et de 4,20 % de SK Hynix, dans un article consacré aux progrès de CXMT et aux inquiétudes du marché.
