Le 18 octobre 2026, Seoul Economic Daily a rapporté que Samsung Electronics avait accepté la demande de NVIDIA d’utiliser le procédé 3 nm de TSMC pour le die de base du NVHBM. Le quotidien indique que la demande visait aussi SK hynix et Micron Technology, avec une DRAM 1c — de sixième génération — pour le die central. L’acceptation rapportée concerne Samsung. Le compte rendu de Seoul Economic Daily.
Ce que NVIDIA décrit dans l’architecture NVHBM
NVIDIA explique que son contrôleur mémoire personnalisé est intégré au die de base de la mémoire HBM plutôt qu’au die de calcul XPU. Par rapport à la HBM4E standard, l’entreprise annonce jusqu’à 30 % de bande passante mémoire supplémentaire, 15 % de consommation électrique en moins pour la HBM et jusqu’à 25 % de surface disponible en plus sur le die de calcul XPU. NVIDIA indique également qu’une implémentation standard destinée à plusieurs fournisseurs peut réduire le travail d’intégration et de qualification ; l’entreprise cite Annapurna Labs, filiale d’Amazon, comme première organisation à travailler sur NVHBM. La description de NVIDIA.
Une demande circonscrite au NVHBM de NVIDIA
Selon Seoul Economic Daily, Samsung conserverait son approche intégrée pour la HBM standard et les mémoires HBM personnalisées destinées à d’autres clients, comme AMD. Le journal rapporte aussi que Samsung évaluait sa propre fonderie comme solution de repli si la capacité de TSMC s’avérait insuffisante.
