Seoul Economic Daily berichtete am 18. Oktober 2026, Samsung Electronics habe NVIDIAs Wunsch akzeptiert, für die Basisdies von NVIDIAs kundenspezifischem NVHBM TSMCs 3-nm-Prozess zu verwenden. Der Bericht betrifft damit einen bestimmten Baustein der Speicherfertigung: das Basisdie, nicht pauschal Samsungs HBM-Produktion. Seoul Economic Daily ordnet NVHBM als auf HBM4E basierende Speicherstruktur ein.
Was Samsung laut Bericht fertigen lassen soll
Seoul Economic Daily zufolge bat NVIDIA Samsung, SK hynix und Micron Technology, für NVHBM-Basisdies einen gemeinsamen TSMC-3-nm-Prozess zu nutzen. Die Zeitung berichtet, Samsung habe dem Wunsch nach einer internen Prüfung zugestimmt. Für das Kern-Die sei DRAM der sechsten Generation vorgesehen, das als 1c bezeichnet wird.
Der Bericht begrenzt den Schritt auf NVIDIAs NVHBM: Samsung soll seinen Turnkey-Ansatz für Standard-HBM und kundenspezifische HBM-Produkte anderer Kunden beibehalten. Außerdem prüfe Samsung laut Seoul Economic Daily, ob die eigene Foundry NVHBM-Basisdies fertigen könnte, falls TSMCs Kapazität nicht ausreiche.
Was sich an NVIDIAs NVHBM ändert
Bei herkömmlichen Speicherstapeln sitzt der Speichercontroller auf dem XPU-Die, also dem Rechenchip. NVIDIA beschreibt NVHBM anders: Der eigene Speichercontroller wandert ins HBM-Basisdie. Laut NVIDIAs Beschreibung von NVHBM soll diese Architektur gegenüber standardmäßigem HBM4E bis zu 30 % mehr Speicherbandbreite, 15 % weniger HBM-Stromverbrauch und bis zu 25 % mehr Fläche auf dem XPU-Rechendie bieten. Das sind Angaben von NVIDIA.
Ein gemeinsamer Aufbau über mehrere Speicheranbieter hinweg soll laut NVIDIA außerdem den Aufwand für Integration und Qualifizierung verringern. Das erklärt den technischen Zweck einer einheitlichen Basisdie-Ausführung, ist aber eine andere Aussage als der Bericht über Samsungs Fertigungsentscheidung. NVIDIA nennt Amazonas Annapurna Labs als erste Organisation, die an NVHBM arbeitet.
