Le 21 octobre 2026, ETNews rapportait que SK hynix avait engagé des discussions avec des fournisseurs de matériaux, de pièces et d’équipements, en Corée du Sud et à l’étranger, autour de l’application de son design iHBM et des préparatifs en vue d’une éventuelle production de masse. Le reportage situe le projet au stade des échanges et de la préparation industrielle.
Où les éléments ICE seraient placés
Dans le design iHBM décrit par ETNews, les Integrated Cooling Elements (ICE) prendraient place dans la zone de connexion physique du die de base de la mémoire HBM. Ils formeraient une voie supplémentaire pour transférer la chaleur hors de cette zone.
Cette disposition reste une caractéristique du design rapporté. Elle ne constitue pas une mesure réalisée sur un produit commercial.
Ce que signifie la baisse annoncée de résistance thermique
Selon ETNews, SK hynix attribue à iHBM une réduction de plus de 30 % de la résistance thermique. Cette mesure concerne la facilité avec laquelle la chaleur se transfère. Elle ne signifie pas que la mémoire produirait 30 % de chaleur en moins ou consommerait 30 % d’électricité en moins.
ETNews ne précise pas les conditions de test associées à ce chiffre. Il s’agit donc d’une affirmation attribuée à SK hynix, et non d’un résultat de mesure sur une puce iHBM commercialisée.
MR-MUF, WLP et cible HBM5
La préparation industrielle évoquée par ETNews s’appuierait sur le procédé avancé MR-MUF et le packaging au niveau de la tranche, ou WLP. L’approche viserait à s’inscrire dans le cadre de la chaîne d’approvisionnement HBM existante.
ETNews présente HBM5 comme la génération visée par iHBM et 2029 comme l’horizon de la feuille de route HBM5. Le reportage indique également que SK hynix valide HBM5 avec le packaging avancé CoWoS de TSMC.
