Micron apunta a iniciar la fabricación de alto volumen de su nodo DRAM 1δ en el segundo semestre de 2027, según informó Tom’s Hardware el 4 de noviembre de 2026. La compañía espera que el nodo aumente alrededor de un 25 % la densidad de bits frente a 1γ; es un objetivo de la hoja de ruta, no un resultado de producción.
1δ es el próximo objetivo de fabricación de alto volumen
Micron tiene 1γ en fabricación de alto volumen. Es su primer nodo DRAM que utiliza litografía EUV, una técnica para imprimir patrones muy pequeños en los chips. El siguiente paso, 1δ, está en fase de aumento del rendimiento de fabricación y tiene como meta llegar a producción de alto volumen en el segundo semestre de 2027.
Micron prevé usar 1δ en futuras memorias DDR, LPDDR, gráficas, HBM5, HBM vertical (vHBM) y memoria vertical para inferencia en el borde (vEIM). Son aplicaciones previstas para el nodo, no fechas de lanzamiento de productos.
La hoja de ruta mantiene el escalado planar y explora la DRAM 3D
Micron continúa su desarrollo de DRAM planar con celdas 6F² y ha abandonado sus planes para celdas 4F². En las siguientes etapas, 1ε está en desarrollo con una unión de obleas prevista; ζÅ se encuentra en una fase inicial y se asocia con el uso futuro de litografía EUV de alta apertura numérica (High-NA EUV), mientras que ηÅ sigue en exploración tecnológica.
En paralelo, Micron desarrolla dos generaciones de DRAM 3D, 3D1 y 3D2. La compañía plantea introducir esta tecnología cuando su coste y rendimiento puedan competir con la DRAM planar. Así, el escalado en plano continúa mientras Micron prepara una alternativa vertical para más adelante.
Los diseños para IA priorizan distintos tipos de memoria
Micron planea ofrecer HBM estándar y personalizada. En esta última, el dado base podría incorporar lógica adaptada a las necesidades del cliente. Para vHBM, la propuesta es apilar la memoria directamente sobre un ASIC o una CPU, en vez de colocarla al lado del procesador sobre un interposer. El diseño busca aumentar el ancho de banda; la alimentación eléctrica y la disipación del calor son retos que Micron prevé abordar con unión híbrida, disipadores y diseños atentos a la temperatura.
La vEIM apunta a la inferencia en el borde. Para su primera generación, Micron plantea un ancho de banda cercano a 2 TB/s y una energía de transferencia inferior a 1 picojulio por bit. Ambos valores son objetivos de diseño.
En otras memorias, Micron espera que LPDDR6 consuma aproximadamente un 35 % menos que LPDDR5 y desarrolla DDR6 con clientes, con una meta de duplicar el ancho de banda de DDR5. Micron trabaja con Meta en aplicaciones de LPDDR6 para centros de datos. Son expectativas y metas de desarrollo, no mediciones de productos disponibles.
El RDIMM DDR5 de 512 GB es otro hito para servidores
En un informe publicado el 15 de septiembre de 2026, MarketScreener describió una demostración de Micron de un módulo DDR5 RDIMM de 512 GB en varias plataformas de servidor, con velocidades de hasta 9.200 MT/s. El objetivo de producción en masa para ese módulo también se situó en el segundo semestre de 2027.
En un servidor de doble zócalo con 24 ranuras, 24 módulos de 512 GB suman 12.288 GB, cerca de 12 TB. El RDIMM es un módulo de memoria para servidores; 1δ, en cambio, es un nodo de fabricación de DRAM. Son hitos distintos dentro del desarrollo de memoria de Micron.
G11 amplía el contexto a la NAND
La hoja de ruta también sitúa la producción en masa de NAND 3D G11 en el segundo semestre de 2027. Micron plantea más de 400 capas activas, frente a las 276 de G9, además de dos conceptos para IA: NAND SLC orientada a muchas operaciones por segundo y NAND apilada con vías a través del silicio (TSV) para un mayor ancho de banda, con una matriz lógica base. Para más contexto sobre el paso de G9 a G11, puedes consultar la cobertura anterior de NeoTeo.
