Micron mikt volgens gerapporteerde roadmapuitspraken op volumeproductie van 1δ-DRAM in de tweede helft van 2027. Het bedrijf verwacht daarbij een bitdichtheid die in de midden twintig procent hoger ligt dan bij 1γ. Latere planaire generaties en 3D DRAM zijn nog ontwikkeltrajecten.

1δ is de volgende stap in Microns planaire DRAM

Micron zou 1δ momenteel opschalen en de productieopbrengst verbeteren, de fase die in de halfgeleiderindustrie een yield ramp heet. Het doel voor volumeproductie ligt in de tweede helft van 2027. De verwachte winst in bitdichtheid ten opzichte van 1γ is een doelstelling, geen behaalde meetuitkomst.

1γ is volgens de berichtgeving al in volumeproductie en is Microns eerste DRAM-generatie die EUV-lithografie gebruikt. Micron zou 1δ willen inzetten voor volgende generaties DDR, LPDDR en grafisch geheugen, maar ook voor HBM5, verticale HBM en Vertical Edge Inference Memory (vEIM).

De route naar 3D DRAM loopt naast verdere planaire ontwikkeling

Micron zet de planaire DRAM-route volgens de berichtgeving voort met geheugencellen van het type 6F² en heeft de plannen voor 4F² laten varen. De volgende ontwikkelfasen verschillen in aanpak: voor 1ε is wafer bonding gepland, ζÅ wordt in verband gebracht met High-NA EUV en ηÅ bevindt zich in de verkennende onderzoeksfase.

Tegelijk ontwikkelt Micron de 3D DRAM-generaties 3D1 en 3D2. Het bedrijf wil 3D DRAM introduceren wanneer de kosten en prestaties concurrerend zijn met planaire DRAM. De tweedimensionale route gaat dus verder terwijl Micron aan een verticale aanpak werkt.

AI-geheugen richt zich op bandbreedte of energieverbruik

Voor HBM plant Micron zowel standaard- als klantspecifieke varianten, vanaf HBM4E. Een aangepaste basisdie kan logica bevatten die voor een klant is ontworpen. Met verticale HBM (vHBM) wil Micron geheugen rechtstreeks bovenop een ASIC of CPU stapelen, in plaats van ernaast op een interposer. Dat ontwerp is gericht op meer bandbreedte; warmteafvoer en stroomvoorziening zijn daarbij technische uitdagingen. Micron noemt hybrid bonding, warmteverspreiders en thermisch ontwerp als geplande oplossingen.

De eerste generatie vEIM is gericht op edge-inferentie, waarbij AI-modellen dicht bij de plek van gebruik draaien. De gemelde doelen zijn ongeveer 2 TB/s bandbreedte en minder dan 1 picojoule energie per overgedragen bit. Dat zijn roadmapdoelen.

Micron verwacht voor LPDDR6 ongeveer 35 procent lager energieverbruik dan voor LPDDR5. Voor DDR6 mikt het bedrijf op tweemaal de bandbreedte van DDR5 en werkt het samen met klanten aan de ontwikkeling. Micron werkt volgens de berichtgeving met Meta aan LPDDR6 voor datacentertoepassingen. Ook deze cijfers zijn verwachtingen en doelen, geen gemeten resultaten.

Een afzonderlijk gedemonstreerde DDR5-servermodule

Een bericht dat op 15 september 2026 verscheen, meldde dat Micron een DDR5 RDIMM van 512 GB op meerdere serverplatforms had gedemonstreerd. De module haalde volgens dat bericht snelheden tot 9.200 MT/s. Voor massaproductie mikte Micron op de tweede helft van 2027.

In een server met twee processors en 24 geheugenslots zou deze configuratie maximaal 12 TB kunnen bieden. De berekening is 24 × 512 GB = 12.288 GB, oftewel ongeveer 12 TB.

G11 NAND vormt de opslagkant van de roadmap

Voor G11 3D NAND mikte Micron op massaproductie in de tweede helft van 2027. Het plan omvat meer dan 400 actieve lagen, tegenover 276 bij G9. Micron stelde ook doelen voor ongeveer tweemaal de bitdichtheid van G9, 50 procent hogere I/O-snelheid en meer dan 25 procent minder energie per overgedragen bit. Dit zijn toekomstgerichte doelen. NeoTeo schreef eerder over Microns mogelijke stap van G9 naar G11 in een artikel over de NAND-roadmap.

Voor AI-NAND beschreef Micron twee ontwikkelrichtingen: SLC-gebaseerd geheugen met veel I/O-bewerkingen per seconde en gestapelde NAND met TSV-verbindingen en een logische basisdie, gericht op hoge bandbreedte.