Blocks & Files informó el 22 de octubre de 2026, a partir de unas declaraciones de Scott DeBoer, presidente y director de Tecnología y Productos de Micron, que la compañía habría abandonado la generación NAND G10 que tenía prevista para pasar de G9 a G11. La hoja de ruta sitúa la rampa de volumen de G11 en el segundo semestre de 2027; sus cifras son objetivos, no resultados de producto.
Qué cambia al pasar de G9 a G11
Micron presentó G11 como una generación pensada para futuros productos de inteligencia artificial. DeBoer describió un salto directo desde G9 y atribuyó esa decisión a la optimización de la memoria para esas cargas de trabajo.
G9 tiene 276 capas. Para G11, Micron plantea más de 400 capas y unión de oblea sobre oblea. También atribuye a la nueva generación el doble de densidad de bits, hasta 1,5 veces la velocidad de entrada y salida (E/S) y un 25 % menos de energía por bit transferido frente a G9.
| Métrica | Objetivo de G11 frente a G9 |
| Capas | Más de 400, frente a 276 en G9 |
| Densidad de bits | El doble |
| Velocidad de E/S | Hasta 1,5 veces mayor |
| Energía por bit transferido | Un 25 % menos |
Cuándo prevé Micron la rampa de G11
La hoja de ruta reproducida en la información sitúa la rampa de volumen en el segundo semestre de 2027. Es el calendario previsto para la producción a volumen, no una fecha de disponibilidad comercial para un producto concreto.
Dos diseños de NAND para futuras cargas de IA
Micron planteó dos direcciones distintas. La primera busca muchas operaciones de entrada y salida por segundo (IOPS) con NAND SLC, un tipo de memoria que almacena un bit por celda, organizada en bloques pequeños. Para un futuro SSD de alta IOPS se indicó un objetivo de entre 25 y 100 millones de IOPS.
La segunda propuesta prioriza el ancho de banda: apilaría NAND sobre una matriz base mediante vías a través del silicio (TSV) y situaría el conjunto cerca del procesador. DeBoer señaló que ese diseño requeriría trabajar con clientes y alcanzar un coste viable.
