Il 22 ottobre 2026 Blocks & Files ha riferito che Micron avrebbe abbandonato la generazione NAND G10, prevista in precedenza, per passare direttamente da G9 a G11. Il resoconto attribuisce il piano a Scott DeBoer, presidente e responsabile tecnologico e dei prodotti di Micron, che al webinar del 21 ottobre ha descritto G11 come ottimizzata per i futuri prodotti di intelligenza artificiale.
Cosa cambierebbe rispetto a G9
Micron sta già spedendo NAND G9 a 276 layer, secondo il resoconto. La stessa pubblicazione indica il Micron 2650 come il primo SSD client basato su G9, lanciato nel luglio 2024. Per G11, DeBoer ha indicato un obiettivo superiore a 400 layer e il bonding wafer-on-wafer, una tecnica di unione tra wafer.
Il confronto attribuito a Micron assegna a G11 il doppio della densità di bit di G9, una velocità I/O fino a 1,5 volte maggiore e il 25% di energia in meno per trasferire un bit. Sono obiettivi di roadmap, non risultati misurati su un prodotto disponibile.
| Parametro | G9 | Obiettivo per G11 |
| Numero di layer | 276 | Oltre 400 |
| Densità di bit | Riferimento | 2× G9 |
| Velocità I/O | Riferimento | Fino a 1,5× G9 |
| Energia per bit trasferito | Riferimento | 25% in meno rispetto a G9 |
La rampa di G11 è prevista per il 2027
La roadmap riportata colloca la rampa di volume di G11 nella seconda metà del 2027. È una tappa pianificata, mentre il passaggio da G9 a G11 resta una decisione riferita da Blocks & Files sulla base delle dichiarazioni di DeBoer.
Due proposte NAND per i sistemi di IA
Micron ha descritto due direzioni per future memorie NAND destinate ai carichi di lavoro di IA. La prima punta a un SSD ad alte prestazioni IOPS, cioè in grado di gestire molte operazioni di input/output al secondo: impiegherebbe memoria SLC, o single-level cell, organizzata in blocchi piccoli. Per un futuro SSD di questo tipo è stato riportato un obiettivo di 25–100 milioni di IOPS.
La seconda proposta mira a una maggiore larghezza di banda. Prevede NAND impilata e collegata a un die di base tramite TSV, connessioni verticali che attraversano il silicio, con il sistema collocato vicino all’unità di calcolo. DeBoer ha indicato che questo approccio richiederebbe una collaborazione con i clienti e costi sostenibili. Ha citato come possibili applicazioni i PC e le workstation per IA, l’automotive, la robotica, i dispositivi mobili e quelli indossabili.
