Micron prevé que su NAND 3D G11 supere las 400 capas y use unión oblea sobre oblea, con una rampa de producción prevista para la segunda mitad de 2027. Tom’s Hardware atribuyó estos planes a Micron y citó a Scott DeBoer, presidente y director de tecnología y productos de la empresa.
Las cifras de rendimiento que acompañan la hoja de ruta son objetivos comunicados por Micron, no resultados de una prueba de producto: alrededor de 42 Gb/mm² de densidad 3D TLC, hasta 5.400 MT/s de velocidad de E/S y más de un 25 % menos de energía por bit de datos transferido.
Qué plantea Micron para G11
Además de superar las 400 capas NAND, G11 uniría obleas fabricadas por separado: una con la matriz de memoria NAND y otra con la lógica periférica y de entrada/salida. La densidad de unos 42 Gb/mm² corresponde a memoria 3D TLC. Micron también sitúa la velocidad de E/S hasta un 50 % por encima de la NAND de generación actual, según las cifras recogidas en la hoja de ruta.
Son metas de diseño, no mediciones de chips comerciales. La combinación de densidad, velocidad y menor energía por bit describe lo que Micron pretende alcanzar con G11; cada cifra se refiere a una propiedad distinta.
Qué cambia con la unión oblea sobre oblea
La unión oblea sobre oblea describe cómo se ensamblan las partes: se conectan obleas completas de memoria y lógica periférica. En integración tridimensional, este método puede simplificar el flujo de fabricación y aumentar el rendimiento, pero su viabilidad económica depende de conseguir un rendimiento de oblea alto y estable. La unión chip a oblea o chip a chip permite seleccionar chips funcionales antes de ensamblarlos.
Una unión de obleas tampoco es lo mismo que un TSV, sigla de vía a través del silicio. La primera define una configuración de ensamblaje; el TSV es una interconexión eléctrica vertical. Pueden combinarse en una misma pila. La integración también puede realizarse chip a chip o chip a oblea, y la unión híbrida es otra técnica de ensamblaje.
Qué dificulta fabricar pilas NAND más altas
Para construir NAND 3D se depositan capas y se graban canales verticales a través de ellas. Lam Research explica que, al superar las 200 capas, surgen retos adicionales de deposición y grabado. La tensión acumulada en una pila alta también puede curvar una oblea cientos de micras; una técnica general consiste en depositar material compensador en la cara posterior para aplanarla.
Estos retos describen la fabricación de NAND 3D en general. La hoja de ruta de Micron no atribuye a G11 un método concreto de compensación de tensión.
Cuándo planea Micron producir G11
Micron prevé iniciar la rampa de producción de G11 en la segunda mitad de 2027 y espera ofrecer más detalles técnicos durante ese año, cuando se acerque la fabricación de alto volumen. La fecha corresponde a la producción de la memoria y no fija el lanzamiento de un SSD comercial.
