Micron plant voor G11 meer dan 400 NAND-lagen en wafer-op-wafer-bonding. De productieramp staat gepland voor de tweede helft van 2027. De roadmap noemt daarnaast doelen voor geheugendichtheid, I/O-snelheid en energieverbruik.
Welke doelen Micron voor G11 noemt
Micron mikt voor G11 op een 3D-TLC-dichtheid van ongeveer 42 Gb/mm² en een I/O-snelheid tot 5.400 MT/s, oftewel 5.400 megatransfers per seconde. Micron koppelt die I/O-doelstelling aan een stijging van maximaal 50% ten opzichte van zijn huidige NAND-generatie. Ook noemt het bedrijf als doel dat het energieverbruik per overgedragen bit met meer dan 25% daalt.
Scott DeBoer, president en chief technology and products officer van Micron, beschreef de roadmap. De cijfers zijn doelen voor de geplande G11-technologie. Het plan noemt meer dan 400 NAND-lagen, maar niet hoeveel actieve wordlinelagen of geheugendecks G11 precies krijgt.
Wat wafer-op-wafer-bonding inhoudt
Bij wafer-op-wafer-bonding worden afzonderlijk gemaakte wafers met elkaar verbonden. Micron plant voor G11 om de NAND-array en de perifere logica en I/O op aparte wafers te vervaardigen en die vervolgens te binden. De aanpak brengt dus geheugencellen en besturingselektronica samen die via afzonderlijke productieprocessen zijn gemaakt.
Wafer-op-wafer-bonding is een assemblagemethode. TSV’s, of through-silicon via’s, zijn verticale elektrische verbindingen die signalen door silicium kunnen voeren. De twee beschrijven verschillende onderdelen van een chipopbouw en kunnen samen worden gebruikt.
Bij wafer-op-wafer-integratie kan de verwerking sneller verlopen en kan het productieproces eenvoudiger worden. De opbrengst van de wafers moet daarvoor wel voldoende hoog en stabiel zijn. Bij die-op-wafer- en die-op-die-assemblage kunnen fabrikanten juist afzonderlijke, goed werkende chips selecteren voordat ze die samenvoegen.
Waarom hogere NAND-stacks lastig te maken zijn
Een 3D-NAND-stack ontstaat door lagen op te bouwen en kanaalgaten door die lagen heen te etsen. In een algemene uitleg van Lam Research wordt uitgelegd dat het etsen van die gaten moeilijker wordt wanneer de stack hoger wordt; de video noemt problemen bij stacks boven de 200 lagen. De opgebouwde spanning kan een wafer bovendien honderden micrometers kromtrekken. Een laag spanningscompenserend materiaal aan de achterkant kan helpen de wafer weer vlak te maken.
Wanneer Micron G11-productie wil opschalen
Micron mikt op een productieramp voor G11 in de tweede helft van 2027. De roadmap schetst een productieplanning voor geheugentechnologie, niet een lanceringsdatum voor een specifieke SSD.
