El 6 de noviembre de 2026, The Information informó de que TSMC había empezado recientemente a redactar planes para fabricar DRAM 3D apilada en vertical a petición de Nvidia. Bloomberg indicó que el reportaje citaba a dos personas familiarizadas con esos planes.
La iniciativa supondría que TSMC, conocida por fabricar chips lógicos para otras empresas, explorase también la producción de memoria. Samsung Electronics, SK hynix y Micron ya operan en ese mercado. Para situar el posible movimiento en la cadena de chips para IA, NeoTeo ya explicó los distintos cuellos de botella de ASML y TSMC.
Las alternativas para las instalaciones
La cobertura de Investing.com describió dos opciones: construir instalaciones dedicadas o adquirir una planta existente y adaptarla. También atribuyó la dirección de la exploración a Hsu Kuo-chin, vicepresidente de TSMC responsable del empaquetado avanzado.
La elección entre construir una instalación o adaptar una existente marcaría el siguiente paso industrial de esta iniciativa.
Qué implica fabricar DRAM 3D
La DRAM, o memoria dinámica de acceso aleatorio, es el tipo de memoria que se menciona en los planes. La arquitectura 3D organiza sus estructuras en vertical. Una animación técnica de Lam Research aporta contexto general: representa pilares y capas apiladas, y explica conceptos como el grabado de alta relación de aspecto, donde la altura de una estructura se compara con su anchura, y la deposición de capas atómicas.
