Am 6. November 2026 berichtete The Information, TSMC habe auf Anfrage von Nvidia mit Plänen für die Fertigung vertikal gestapelten 3D DRAM begonnen. Bloomberg zufolge stützt sich die Meldung auf zwei Personen, die mit den Plänen vertraut sind. Der Bericht beschreibt eine Prüfung möglicher Fertigungswege.
Ein möglicher Schritt in die DRAM-Fertigung würde TSMCs bisherige Rolle als Auftragsfertiger für Logikchips erweitern.
Welche Fertigungswege TSMC erwägt
Laut der Berichterstattung kommen zwei Möglichkeiten infrage: TSMC könnte eigene Fertigungsstätten errichten oder einen bestehenden Standort übernehmen und für die Speicherproduktion umrüsten. Welche Option verfolgt wird, lässt sich aus den berichteten Plänen nicht ableiten.
Investing.com zufolge soll Hsu Kuo-chin, TSMC-Vizepräsident mit Verantwortung für Advanced Packaging, die Prüfung leiten. Advanced Packaging bezeichnet Verfahren, mit denen Chips nach der Waferfertigung verbunden und verpackt werden.
Ein möglicher Schritt in die Speicherfertigung würde TSMCs bisherige Rolle als Auftragsfertiger für Logikchips erweitern. NeoTeo hat bereits TSMCs Kapazitätsausbau und ASMLs Anlagenversorgung eingeordnet.
Was 3D DRAM technisch bedeutet
Bei 3D DRAM werden Speicherstrukturen vertikal angeordnet. Lam Research erläutert in einer technischen Animation dazu allgemeine Fertigungskonzepte wie Ätzen mit hohem Aspektverhältnis, also das Bearbeiten tiefer, schmaler Strukturen, und Atomlagenabscheidung, bei der Material in sehr dünnen Schichten aufgetragen wird. Die Animation bietet technischen Branchenkontext zur Speicherarchitektur.
Lam Research veranschaulicht vertikale Speicherstrukturen und erläutert Ätzen mit hohem Aspektverhältnis sowie Atomlagenabscheidung. Lam Research veranschaulicht vertikale Speicherstrukturen und erläutert Ätzen mit hohem Aspektverhältnis sowie Atomlagenabscheidung.
Applied Materials beschreibt 3D DRAM als eine materialtechnisch grundlegend andere Aufgabe als 3D NAND (technische Erläuterung von Applied Materials). Diese allgemeine Einordnung erklärt, warum die Entwicklung von 3D DRAM eigene technische Ansätze erfordert.