Le 6 novembre 2026, The Information a rapporté que TSMC aurait récemment commencé à préparer des plans de fabrication de DRAM 3D empilée verticalement, à la demande de Nvidia. Selon Bloomberg, l’article citait deux personnes au fait de ces projets.
Si cette piste se concrétisait, elle élargirait le rôle habituel de TSMC, surtout associé à la fabrication de puces logiques, vers la mémoire DRAM. Samsung Electronics, SK hynix et Micron sont déjà présents sur ce marché. Pour replacer ce projet dans les enjeux de capacité liés aux puces d’IA, NeoTeo a aussi détaillé les plans d’ASML et de TSMC face à la demande.
Le choix industriel évoqué porte autant sur l’outil de fabrication que sur la mémoire : construire un site dédié ou transformer un site existant.
Deux pistes pour les installations
Selon les informations relayées par Yahoo Finance, TSMC envisagerait soit de construire une installation dédiée, soit d’acquérir un site existant et de le réaménager. Hsu Kuo-chin, vice-président de TSMC responsable de l’assemblage avancé, piloterait l’exploration, selon Investing.com.
Ce que recouvre la DRAM 3D
La DRAM 3D évoquée dans le rapport repose sur un empilement vertical de structures mémoire. L’animation technique de Lam Research illustre ces structures et aborde des procédés généraux comme la gravure à rapport d’aspect élevé et le dépôt de couches atomiques. Applied Materials décrit de son côté l’ingénierie des matériaux nécessaire à la DRAM 3D comme fondamentalement différente de celle de la NAND 3D.
ASML et TSMC détaillent leurs plans face à la demande de puces IA
