Według The Information TSMC zaczęło opracowywać plany produkcji pionowo układanej pamięci 3D DRAM na prośbę Nvidii. Raport opublikowany 6 listopada 2026 r. opierał się na informacjach od dwóch osób zaznajomionych z planami. Opisywał możliwe rozszerzenie działalności TSMC poza produkcję układów logicznych, w kierunku pamięci.
Ewentualne wejście TSMC w 3D DRAM oznaczałoby ruch w stronę nowego segmentu, a nie kolejny etap produkcji układów logicznych.
Jakie warianty zakładu rozważa TSMC
Relacje przypisujące te szczegóły The Information wymieniały dwa warianty: budowę dedykowanego zakładu albo zakup i przystosowanie istniejącego obiektu. Żadnego z nich nie przedstawiano jako wybranego rozwiązania.
Investing.com podał, że analizą kieruje Hsu Kuo-chin, wiceprezes TSMC odpowiedzialny za zaawansowane pakowanie. Firma już wcześniej współpracowała z dostawcami pamięci przy układach logicznych: w 2024 r. informowano o jej umowie na produkcję bazowych układów logicznych dla kolejnych generacji HBM SK hynix.
Możliwa zmiana wpisywałaby się w szerszą rozbudowę łańcucha dostaw dla AI. Wcześniej opisaliśmy, jak ASML i TSMC planują zwiększać podaż chipów AI na różnych etapach produkcji.
Co oznacza pionowa architektura 3D DRAM
Pamięć 3D DRAM wykorzystuje pionowo ułożone struktury zamiast układu ograniczonego do płaskiej powierzchni. Ogólne koncepcje produkcji omawia animacja techniczna Lam Research: pokazuje pionowe filary i warstwy pamięci, a także trawienie struktur o dużym współczynniku kształtu oraz osadzanie warstw atomowych. Te przykłady objaśniają zagadnienia związane z 3D DRAM, ale nie opisują rozwiązania TSMC.
Applied Materials zwraca uwagę, że inżynieria materiałowa potrzebna do rozwoju 3D DRAM różni się zasadniczo od podejścia stosowanego w 3D NAND.
