Il 6 novembre 2026 The Information ha riferito che TSMC aveva iniziato a elaborare piani per produrre DRAM 3D impilata verticalmente, su richiesta di Nvidia. Il resoconto citava due persone a conoscenza dei piani.
Nella DRAM 3D, le strutture verticali richiedono tecniche di incisione e deposizione capaci di lavorare con precisione su forme profonde e strette.
Perché l’ipotesi potrebbe ampliare il ruolo di TSMC
Se il progetto arrivasse alla produzione, TSMC affiancherebbe alla fabbricazione di chip logici anche quella di memoria DRAM. Samsung Electronics, SK hynix e Micron Technology sono già attive in questo mercato. La richiesta attribuita a Nvidia collega la valutazione alla memoria avanzata per l’intelligenza artificiale.
Per un quadro dei diversi vincoli nella filiera dei chip per l’IA, leggi il precedente approfondimento di NeoTeo su ASML e TSMC.
Le due alternative per gli impianti
Secondo quanto riportato da Investing.com riprendendo il resoconto di The Information, TSMC valutava due strade: costruire uno stabilimento dedicato oppure acquisire una struttura esistente e riconvertirla. Investing.com ha indicato Hsu Kuo-chin, vicepresidente di TSMC responsabile del packaging avanzato, alla guida dell’esplorazione.
Che cosa comporta, in generale, la DRAM 3D
La DRAM 3D organizza la memoria in strutture verticali. L’animazione tecnica di Lam Research illustra queste strutture e tratta l’incisione ad alto rapporto d’aspetto, cioè la lavorazione di forme molto profonde rispetto alla loro larghezza, insieme alla deposizione a strati atomici.
Applied Materials descrive l’ingegneria dei materiali necessaria per la DRAM 3D come diversa da quella della NAND 3D.
