A TSMC começou a elaborar planos para produzir DRAM 3D empilhada verticalmente a pedido da Nvidia, segundo reportagem da The Information publicada em 6 de novembro de 2026. A publicação atribuiu a informação a duas pessoas familiarizadas com os planos. O relato descreve uma avaliação em andamento, não uma decisão de produção.
A importância está na possibilidade de a TSMC ampliar sua atuação: da fabricação de chips lógicos para a produção de memória DRAM.
Quais opções de fábrica foram mencionadas
A cobertura descreve duas alternativas: construir instalações dedicadas ou adquirir uma unidade existente e adaptá-la. Hsu Kuo-chin, vice-presidente da TSMC responsável por operações de empacotamento avançado, estaria liderando a exploração, segundo relatos sobre a apuração.
Uma eventual entrada na produção de memória ampliaria o escopo tradicional da TSMC como fabricante de chips lógicos para clientes. A NeoTeo já explicou como gargalos diferentes afetam a oferta de chips de IA da TSMC e da ASML.
O que envolve fabricar DRAM 3D
Na DRAM 3D, estruturas de memória são organizadas verticalmente. A animação técnica da Lam Research aborda pilares e camadas empilhadas, além de processos como ataque de alta razão de aspecto, usado para formar estruturas estreitas e profundas, e deposição de camadas atômicas, que aplica materiais em camadas muito finas. São conceitos gerais de fabricação, úteis para entender a tecnologia citada na reportagem.
