Le 21 octobre 2026, Scott DeBoer, directeur technique de Micron Technology, a déclaré que l’entreprise ne poursuivrait pas la commercialisation de la DRAM 4F². Micron invoque le coût et la complexité de cette architecture, ainsi que ses limites de mise à l’échelle. Son avantage géométrique théorique ne suffit pas, à lui seul, à garantir une densité supérieure dans une puce réelle.
Pourquoi Micron écarte le 4F²
Lors du webinaire consacré aux technologies et aux produits de Micron, DeBoer a expliqué que le pas entre les condensateurs joue un rôle déterminant dans la densité de la DRAM. Selon Micron, la disposition nominale des cellules ne suffit donc pas à prédire le nombre de cellules que l’on peut intégrer dans une matrice. L’entreprise estime aussi que le 4F² entraîne davantage de coûts et de complexité et rencontre des problèmes de mise à l’échelle sur les nœuds les plus avancés.
Micron affirme pouvoir fabriquer de la DRAM 4F² sur des nœuds plus anciens, mais juge que les contraintes de coût et de complexité ne justifient pas de poursuivre cette voie commerciale. Scott DeBoer a indiqué que Micron avait étudié cette architecture pendant deux décennies avant de l’écarter.
Ce que la géométrie 4F² permet de calculer
Les notations 4F² et 6F² désignent la surface nominale d’une cellule, exprimée à partir d’une dimension de référence F. À dimensions de motif identiques, une cellule 4F² occupe théoriquement un tiers de surface de moins qu’une cellule 6F². Dans une surface égale, cette différence pourrait permettre de placer théoriquement 50 % de cellules supplémentaires.
Ce calcul géométrique ne donne pas la densité réelle d’une matrice de DRAM. Tom’s Hardware explique que la taille des condensateurs et l’espacement nécessaire entre eux limitent la traduction de cet avantage nominal en densité pratique. La position de Micron sur le faible intérêt du 4F² reste une évaluation de l’entreprise, et non une mesure comparative des puces de Micron et de ChangXin Memory Technologies (CXMT).
La piste 3D de Micron
La feuille de route de Micron, telle qu’elle a été rapportée, associe la poursuite de la mise à l’échelle du 6F² à une voie parallèle de DRAM 3D. Micron situe cette dernière entre ses nœuds 1-zeta et 1-eta, et fait dépendre sa mise en œuvre de sa viabilité économique.
La décision porte sur la stratégie d’architecture de Micron. À elle seule, elle n’annonce pas de production supplémentaire ni de nouvelles expéditions de DRAM, et ne permet donc pas d’anticiper une baisse rapide des prix. Pour un autre éclairage sur les enjeux de la mémoire liée aux accélérateurs d’IA chinois, NeoTeo a également couvert les tensions autour de la HBM.
