Micron zei op 21 oktober 2026 dat het geen commerciële 4F²-DRAM nastreeft. CTO Scott DeBoer noemde tijdens een webinar van het bedrijf de kosten, complexiteit en schaalbaarheid als bezwaren. Volgens Micron bepaalt vooral de afstand tussen condensatoren de praktische geheugendichtheid, niet alleen de nominale oppervlakte van een geheugencel.
Waarom Micron 4F² niet commercieel wil inzetten
De uitspraak kwam tijdens een gesprek over de 4F²-aanpak van de Chinese geheugenchipmaker ChangXin Memory Technologies (CXMT). DeBoer zei dat Micron de technologie al ongeveer twee decennia had onderzocht. Het bedrijf kan 4F²-cellen op oudere procesgeneraties maken, maar beoordeelt de extra kosten en complexiteit als ongunstig. Ook ziet Micron problemen met het opschalen van de architectuur naar geavanceerde productieprocessen.
Dat is Microns technische beoordeling. De kern ervan is dat een kleinere nominale cel niet automatisch leidt tot meer bruikbare geheugencellen op een chip.
Wat de 4F²-geometrie wel en niet zegt
Bij gelijke afmetingen van de kenmerkende structuren heeft een 4F²-cel theoretisch een derde minder oppervlakte dan een 6F²-cel. Een ideale indeling zou daardoor 50% meer cellen in hetzelfde oppervlak kunnen plaatsen. Die rekensom beschrijft de nominale celgeometrie, niet de uiteindelijke dichtheid van een DRAM-array.
Een technische analyse van Tom’s Hardware licht toe waarom dat verschil niet vanzelf in de praktijk terugkomt: de steekafstand en afmetingen van de condensatoren beperken hoeveel cellen daadwerkelijk naast elkaar passen. Micron wijst om dezelfde reden op de condensatorafstand als doorslaggevende factor voor de dichtheid. De theoretische winst van 4F² is dus geen meting van de dichtheid van een geproduceerde chip.
Microns gerapporteerde route naar 3D DRAM
Microns gerapporteerde route omvat verdere opschaling van 6F²-DRAM en een parallel ontwikkelpad voor 3D DRAM. Dat pad staat tussen de procesgeneraties 1-zeta en 1-eta; het moment van invoering hangt volgens de berichtgeving af van de economische haalbaarheid. Daarmee is 3D DRAM een voorwaardelijke route, geen aangekondigde productiedatum.
CXMT staat in dit verhaal als concurrentiële context. Voor bredere context over Chinese geheugentechnologie en AI-hardware schreef NeoTeo eerder over HBM en Chinese AI-versnellers.
Microns keuze voor een andere architectuur levert op zichzelf geen extra DRAM-productie of verzendingen op. De beslissing is daarom geen aanwijzing voor een scherpe prijsdaling op korte termijn.
