21 października 2026 r. Scott DeBoer, prezes i dyrektor ds. technologii oraz produktów Micron Technology, powiedział podczas firmowego webinaru, że Micron nie będzie komercyjnie rozwijać DRAM 4F². Firma wskazuje na koszt, złożoność i problemy ze skalowaniem tej architektury, a za kluczowy czynnik praktycznej gęstości pamięci uznaje rozstaw kondensatorów.
Dlaczego Micron rezygnuje z komercyjnego 4F²
Według DeBoera o gęstości DRAM nie przesądza sama nominalna powierzchnia komórki. Liczy się także odstęp między kondensatorami, który ogranicza ich rozmieszczenie w układzie. Micron ocenia, że 4F² staje się bardziej złożone i kosztowne, a na najbardziej zaawansowanych węzłach napotyka problemy ze skalowaniem.
DeBoer powiedział, że Micron badał tę architekturę przez dwie dekady i potrafi wytwarzać ją w starszych węzłach technologicznych. Firma nie zamierza jednak wprowadzać jej na rynek komercyjny. Kontekstem decyzji są doniesienia o postępach chińskiej firmy ChangXin Memory Technologies (CXMT) w pracach nad 4F².
Wcześniejszy tekst NeoTeo opisywał osobno presję, jaką pamięć HBM wywiera na chińskie akceleratory AI. To odrębny wątek rywalizacji w branży półprzewodników.
Co mówi geometria komórek 4F² i 6F²
Przy identycznych wymiarach elementów komórka 4F² ma teoretycznie o jedną trzecią mniejszą powierzchnię nominalną niż komórka 6F². W idealnym układzie pozwalałoby to zmieścić o 50% więcej komórek na tej samej powierzchni. Tom’s Hardware opisuje te wartości jako geometryczne wyliczenie, a nie pomiar gęstości gotowej matrycy DRAM.
Różnica jest istotna: mniejsza powierzchnia komórki nie przekłada się automatycznie na taki sam wzrost liczby komórek w całym układzie. Rozstaw i rozmiar kondensatorów wpływają na to, jak gęsto można je ułożyć. To właśnie na ograniczeniach związanych z kondensatorami opiera się argument Micronu, że sama geometria 4F² nie zapewnia firmie wystarczającej korzyści komercyjnej.
Jaką drogę rozwoju DRAM opisuje Micron
Micron ma kontynuować skalowanie DRAM 6F² i równolegle rozwijać DRAM 3D. Według opisanego planu 3D DRAM ma znaleźć się między węzłami 1-zeta i 1-eta, a termin jej wdrożenia zależy od opłacalności. Nie podano daty komercyjnej produkcji tej pamięci.
Sama decyzja o niekomercjalizowaniu 4F² nie oznacza dodatkowej produkcji ani dostaw DRAM, więc nie przesądza o krótkoterminowym spadku cen pamięci.
