El 21 de octubre de 2026, Scott DeBoer, presidente y director de tecnología y productos de Micron Technology, dijo que la empresa no perseguiría comercialmente la DRAM 4F². Atribuyó esa postura al coste y la complejidad adicionales, y a los problemas de escalado que Micron observa en esa arquitectura.

La conversación surgió tras una pregunta de Tim Arcuri, analista de UBS, sobre por qué Micron no veía una vía viable para 4F² mientras otros fabricantes la investigaban. CXMT apareció como contexto competitivo. La empresa también comunicó su plataforma G5 LPDDR5X, un anuncio que NeoTeo trató en una cobertura aparte.

Por qué Micron no perseguirá la DRAM 4F²

DeBoer señaló que el paso entre los condensadores, además del área nominal de la celda, condiciona la densidad práctica de la DRAM. Según Micron, 4F² puede fabricarse en nodos anteriores, pero hacerlo añade coste y complejidad; en los nodos más avanzados, la compañía ve problemas de escalado. DeBoer dijo que Micron había estudiado esta arquitectura durante dos décadas.

Es la valoración técnica de Micron. La decisión define la estrategia comercial de la empresa, no el resultado de una medición comparativa de productos de Micron y CXMT.

Qué expresa la diferencia entre 4F² y 6F²

Las etiquetas 4F² y 6F² describen el área nominal de la celda de memoria. En un cálculo geométrico de Tom’s Hardware, si las dimensiones de característica son idénticas, una celda 4F² ocupa un tercio menos de área nominal que una 6F². En una misma superficie, esa geometría permitiría teóricamente colocar un 50 % más de celdas.

Ese porcentaje corresponde al cálculo ideal de celdas por superficie, no a la densidad alcanzada por una matriz DRAM fabricada. El tamaño y el paso de los condensadores limitan cuánto de esa diferencia geométrica puede convertirse en densidad práctica. Micron sostiene que el paso de los condensadores es un factor decisivo y que 4F² añade costes y dificultades de escalado.

La ruta de Micron y el posible efecto en los precios

Micron mantiene el escalado de DRAM 6F² y, en paralelo, plantea una vía de DRAM 3D entre los nodos 1-zeta y 1-eta. La implantación de esa tecnología dependerá de su viabilidad económica.

La decisión sobre 4F² no equivale a un anuncio de producción o envíos adicionales. Por sí sola, no permite anticipar una bajada rápida de los precios de la DRAM.