26 września 2026 r. SemiAnalysis publikuje analizę fizycznego demontażu procesora Intel Core Ultra 7 365 z rodziny Panther Lake. Opisuje przekroje struktur, układ bloków i konstrukcję pakietu. W modelu reprezentatywnych komórek badana logika obliczeniowa Intel 18A ma gęstość zbliżoną do badanej logiki graficznej TSMC N3E.
Procesy zastosowane w poszczególnych kaflach
Panther Lake łączy kafel obliczeniowy, kafel GPU i kafel wejścia-wyjścia na pasywnej bazie, wykorzystując pakowanie Foveros-S. Oba opisane warianty kafla obliczeniowego są produkowane w procesie Intel 18A. GPU występuje w wariantach GT1 i GT2, a kafle wejścia-wyjścia w dwóch odmianach.
| Kafel lub wariant | Proces | Opisana konfiguracja |
| Kafel obliczeniowy | Intel 18A | Oba opisane warianty |
| GPU GT1 | Intel 3 | 4 rdzenie Xe3 |
| GPU GT2 | TSMC N3E | 12 rdzeni Xe3 |
| Kafel wejścia-wyjścia | TSMC N6 | Dwie odmiany: 12-liniowa oraz większa z 20 liniami PCIe |
RibbonFET i PowerVia: tranzystory oraz zasilanie
W badanych strukturach Intel 18A tranzystory RibbonFET wykorzystują cztery poziome nanowarstwy ułożone jedna nad drugą. To odmiana tranzystora z bramką otaczającą kanał. W porównywanych strukturach Samsung SF2 MBCFET SemiAnalysis nalicza trzy nanowarstwy; samej liczby warstw nie można jednak traktować jako miary gęstości ani wydajności tranzystora, a ich szerokości również się różnią.
PowerVia rozdziela drogi sygnałowe i zasilające: przewody sygnałowe biegną po przedniej stronie układu, a główna sieć zasilania — po tylnej. Pionowe połączenia nano-TSV łączą tylną sieć z lokalnymi kontaktami. W opisanym przekroju jedno z nich, wykonane z wolframu wyłożonego molibdenem, ma około 150 nm długości między poziomem kontaktów a warstwą BM0. SemiAnalysis opisuje przednie warstwy sygnałowe M0–M14 oraz tylne warstwy zasilające BM0–BM5.
Jak Intel 18A rozdziela sygnały i zasilanie
Schemat pokazuje opisany podział na przednią sieć sygnałową i tylną sieć zasilania oraz połączenie nano-TSV z lokalnymi kontaktami.
Co mierzy porównanie gęstości
W modelu Bohr, który zestawia reprezentatywne komórki, logika obliczeniowa Intel 18A z badanego kafla ma gęstość podobną do logiki GPU TSMC N3E. SemiAnalysis podaje też, że przykład 18A jest o 18,6% gęstszy od badanego przykładu GPU Intel 3. To wyniki modelu dla konkretnych struktur, nie pomiar gęstości całych procesorów. Gęstość całego układu zależy również od udziału poszczególnych komórek i ich rozmieszczenia.
Model waży dwa rodzaje komórek w proporcji 60:40: bramkę NAND2 z czterema tranzystorami, rozciągniętą na trzy skoki bramki, oraz 32-tranzystorowy przerzutnik typu scan, zajmujący 19 skoków. W dodatkowym pomiarze warstwa M0 linii rdzenia P w badanej strukturze Intel 18A ma 2,63 razy większe pole przekroju na linię niż linia M0 silnika wektorowego w badanej strukturze TSMC N3E; po uwzględnieniu rozstawu ścieżek stosunek wynosi 1,84. Większy przekrój przewodnika może ograniczać rezystancję, ale zwiększać pojemność.
Foveros-S łączy kafle na pasywnej bazie
Pakiet opisany w analizie składa się z kafla obliczeniowego, GPU i wejścia-wyjścia umieszczonych na pasywnej bazie. Przy krawędzi badanego kafla obliczeniowego lokalny odstęp mikrowypustek wynosi około 25,24 µm. To pomiar konkretnego miejsca; osobno SemiAnalysis przytacza nominalny rozstaw Foveros-S wynoszący 36 µm.
Zmiany w pamięci podręcznej rdzeni P
Porównanie planów układów wskazuje, że powierzchnia rdzenia P w Panther Lake jest niemal taka sama jak w Lunar Lake, podczas gdy jego prywatna pamięć L2 rośnie z 2,5 MiB do 3 MiB. Współdzielona pamięć L3 rdzeni P jest według tej analizy mniejsza o 14,8%.
Analiza dotyczy struktur, układu bloków i pomiarów próbek. Nie zawiera pomiarów poboru mocy laptopa, wydajności na wat ani czasu pracy na baterii.
